报告人介绍:

龙字雄，男，1995年生，博士毕业于中国科学院半导体研究所。现担任国防科技大学副研究员(引进高层次科技创新人才)，硕士生导师。主要关注新型器件模拟与输运计算研究，应用非平衡态格林函数方法研究了新型压电隧穿晶体管与新型拓扑材料器件，以及无序对输运行为的影响。主持国家自然科学基金专款项目和青年科学基金项目各一项，主持国家重点研发计划重点专项子任务一项和国防科技大学引进高层次创新人才项目一项。近年来以第一作者在IEEE IEDM, IEEE EDL, IEEE TED, IEEE SISPAD, Physical Review B, Science China Physics，Mechanics & Astronomy 上发表多篇学术论文，曾获14th IEEE ICSICT Excellent Student Paper award。

报告摘要:

随着半导体器件的微缩不断接近物理极限，集成电路技术进入到了后摩尔时代，芯片中传统器件性能的进一步提升遇到瓶颈。因此，后摩尔时代下的新型器研究成为芯片技术中一个重要的研究方向。探索新原理、新架构、新材料的新型器件，来提升器件性能、降低器件功耗，有望突破功耗墙限制，从而提升芯片的性能和集成度。非平衡态格林函数方法通过自治求解量子输运方程与泊松方程，可实现从原子尺度能带工程到宏观电压-电流特性的跨尺度分析能力，是器件量子输运的主流研究方法之一，并在商业化软件中成熟应用。本报告将简要介绍如何使用非平衡态格林的数方法来进行器件的输运研究，以及介绍基于该方法的器件研究工作，如新型压电品体管和拓扑材料器件。

时间：2025年3月28日 14：00-15：00

地点：振声苑E304